（原标题：AMD ZEN 7顺配网，提前曝光）
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来源：内容来自半导体行业观察综合。
AMD 似乎正朝着更专业的 CPU 设计方向发展，提供同一架构的不同版本，以满足特定的性能和效率需求。据称，从 Zen 7 系列开始，该品牌计划推出至少四种版本，以覆盖从高性能台式机和服务器到低功耗笔记本电脑和手持设备的所有需求。
据 YouTube 爆料人“摩尔定律已死”（MLID）称，AMD 正在进一步扩展其核心专业化战略。最初采用 Zen 4c 设计，核心密度更高，但很快将演变为涵盖更多类型，首先是Zen 6 的低功耗版本，随后是 Zen 7 的高效核心。
总的来说，Zen 7 架构至少应该有四个略有不同的版本：专注于高性能的经典 Zen 7、面向高核心数服务器解决方案的密集 Zen 7c、优先考虑功耗和硅片面积的低功耗 Zen 7，以及以效率和 IPC 为目标的高效 Zen 7。但这还不是全部，AMD 似乎可以在每个 CCD（核心复合芯片）内封装多达 33 个核心，在旗舰 Epyc CPU 上总共可容纳 264 个核心。相比之下，基于 Zen 5c 的部件最多只有 192 个核心。
预计每个 Zen 7 核心将配备 2MB 二级缓存，相当于 Zen 5 的两倍，此外还有高达 7MB 的堆叠三级 3D V-Cache。据称，这些缓存切片将采用台积电的 4nm 工艺制造，而其他核心则计划采用最新的 1.4nm 工艺。原因很可能是为了平衡成本和良率。MLID 还补充说顺配网，Zen 7 的 CCD 与 Zen 6 Epyc IO Die 兼容，这为进一步混合使用以降低成本提供了可能性。
性能方面，Zen 7 预计将比Zen 6提升 15% 至 25% 的 IPC 性能，早期计划的目标是提升 20% 以上。AMD 似乎更注重单核性能，而非原始核心数量。需要提醒的是，Zen 6 Epyc CPU 据称最多可容纳 256 个核心，与 Zen 7 的 264 个核心相差无几。
AMD 预计将于 2026 年末开始 Zen 7 的流片，并于 2027 年末或 2028 年初正式发布。但正如 MLID 所指出的，这些泄露的消息还为时过早，而且可能会发生变化，因此请谨慎对待。
这个 3D 核心是什么呢？“我以为是指 V-cache，对吧？就是 X3D 核心，”MLID 说。“嗯，实际上，答案是否定的。答案是，有一种新型的纯 3D 核心，它采用全新的 3D 堆叠设计，拥有海量缓存，随着核心数量的增加，性能也大幅提升。”
根据泄露的消息，AMD Zen 7 核心芯片将采用台积电的 1.4nm 技术制造，如果消息属实，这在当时将是真正的尖端技术。然而，据报道，AMD 将继续使用台积电的 4nm 工艺来制造其 3D V 缓存。MLID 还分享了他所称的 Zen 7 架构部分结构图的一部分，如下所示。
在其中，你可以看到一层包含许多标记为“PT核心”的部件——MLID声称单个Zen 7芯片组可以包含33个这样的PT核心。这个数字在很多方面都是奇数，这位YouTuber也承认了这一点，但他坚持自己的观点。
同时，在这一层核心之下还有另一层，包含多个 7MB 的 L3 缓存，可能每个核心一个。MLID 结合 AMD 的 EPYC CPU 讨论了这项技术，但 AMD 通常在其整个产品系列中都使用相同的架构设计，如果 EPYC 芯片使用了这种 3D 核心，那么它也很有可能应用于 Ryzen 产品。
据 MLID 称，这种泄露设计背后的想法是，以这种方式 3D 堆叠 L3 缓存切片可以减少延迟顺配网，尽管它也会大大减少芯片及其缓存在封装上占用的空间，同时还可能确保每个核心能够直接访问大量缓存。
据报道，每个核心还将在芯片上配备 2MB 的二级缓存，是现有 Zen 5 CPU 的两倍。如果将这项技术应用于 Ryzen 游戏 CPU，就无需担心单个核心芯片无法访问 3D V-cache（就像目前的 Ryzen 9 X3D 芯片那样）——每个核心都可能拥有自己的三级缓存堆栈作为标准配置，或者芯片也可能将整个三级缓存视为一个巨大的缓存池。
据MLID报道，AMD希望通过升级到Zen 7架构，将其CPU核心的每时钟指令数（IPC）提升15-25%，同时专注于尖端技术，力求不再落后于英特尔。当然，在AMD决定公开Zen 7架构之前，我们无法得知这项技术的具体工作原理，甚至无法得知它是否存在，而这还有很长的路要走。不过，看看未来可能会出现什么，仍然令人兴奋。
https://www.pcgamesn.com/amd/zen-7-3d-core-leak
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